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General
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* 1º y 2º Ciclo
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Asignatura
* Descripción y Objetivos
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* Profesores y Horarios
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* Contenido y Evaluación
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* Material Complementario
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20711 - ELECTRONICA I

Centro:
Facultad de Ciencias
Departamento:
Departamento Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Área:
Electrónica
Código: 20711
Curso: 4
Periodo: Primavera
Carácter: T
Créditos: 7

Responsable:

Pedro Antonio Martínez Martínez

Descripción de la asignatura:

Tema 1: Sólidos Cristalinos*
1.1: Conducción eléctrica: Modelo de Drude.
1.2: Teoría de Bandas.
1.3: Dinámica de los electrones en el sólido.
1.4: Concepto de hueco.
Tema 2: Estadística de Semiconductores*
2.1: Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
2.2: Densidad de estados y estadística de F.Dirac.
2.3: Concentración de portadores móviles.
Tema 3: Semiconductor no homogéneo
3.1: Fenómenos de Generación y Recombinación.
3.2: Corrientes de Deriva y de Difusión.
3.3: Potenciales de Contacto.
3.4: Ecuación de Continuidad.
Tema 4: Unión pn
4.1: Principios de funcionamiento
4.2: Ecuación característica
4.3: Propiedades y parámetros característicos
4.4: Efectos de segundo orden
Tema 5: Diodos de unión
5.1: El diodo como elemento del circuito
5.2: Modelos incrementales
5.3: Descripción SPICE
5.4: Diodos especiales
Tema 6 : Aplicaciones de los diodos
6.1: Análisis de circuitos con diodos: Puertas lógicas
6.2: Rectificadores
6.3: Conformadores de señales
Tema 7: Transistores MOS de Acumulación (EMOS)
7.1: El condensador MOS
7.2: Principios de funcionamiento EMOS
7.3: Ecuación característica
7.4: Zona de saturación
Tema 8: Otros tipos de transistores de efecto de campo
8.1: Tecnología CMOS
8.2: Transistores DMOS
8.3: J.F.E.T. y M.E.S.F.E.T.
Tema 9: Transistores FET. Aplicaciones
9.1: Interruptores e Inversor Lógico
9.2: Etapa amplificadora
9.3: Modelo incremental
Tema 10: Transistor Bipolar de Unión.
10.1 Principios de funcionamiento.
10.2 Ecuación Característica.
10.3 Regiones de funcionamiento
10.4 Modelo en D.C y Aplicaciones básicas.
Tema 11: BJT en zona activa.
11.1 Efectos de Segundo Orden y Modelo SPICE.
11.2 Modelo incremental: BJT como amplificador.
11.3 Transistores PNP
Tema 12: Polarización
12.1 Zona Amplificadora: Características.
12.2: Redes típicas de polarización.
12.3: Análisis y Diseño de circuitos de polarización.

Objetivos:

Familiarizar al alumno con los fenómenos asociados a los mecanismos de conducción eléctrica en semiconductores, base previa para abordar el estudio de los diversos dispositivos electrónicos. Este análisis permitirá establecer una descripción microscópica, caracterizar su comportamiento y elaborar modelos de cada componente activo. Los equivalentes obtenidos se utilizarán para desarrollar técnicas de análisis de sistemas electrónicos y estudiar diversas aplicaciones básicas con componentes discretos.
Corresponde a una asignatura troncal dedicada fundamentalmente al estudio de los dispositivos semiconductores.
Se pretende estudiar las propiedades básicas del transporte electrónico en semiconductores y su aplicación a los tres dispositivos más emblemáticos: el diodo de unión, el transistor bipolar de unión(BJT) y el transistor MOS.
Descriptores: Semiconductores y Dispositivos. Electrónica digital. Aplicaciones.

 
 
 
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