20711 - ELECTRONICA I
Center: |
Facultad de Ciencias |
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Department: |
Electronics Engineering and Communications Department |
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Teaching area: |
Electrónica |
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Code: |
20711 |
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Course: |
4 |
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Periode: |
Primavera |
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Character: |
T |
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ECTS credits: |
7 |
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Responsible:
Pedro Antonio Martínez Martínez
Subject description:
Tema 1: Sólidos Cristalinos* 1.1: Conducción eléctrica: Modelo de Drude. 1.2: Teoría de Bandas. 1.3: Dinámica de los electrones en el sólido. 1.4: Concepto de hueco. Tema 2: Estadística de Semiconductores* 2.1: Semiconductores intrínsecos y extrínsecos. 2.2: Densidad de estados y estadística de F.Dirac. 2.3: Concentración de portadores móviles. Tema 3: Semiconductor no homogéneo 3.1: Fenómenos de Generación y Recombinación. 3.2: Corrientes de Deriva y de Difusión. 3.3: Potenciales de Contacto. 3.4: Ecuación de Continuidad. Tema 4: Unión pn 4.1: Principios de funcionamiento 4.2: Ecuación característica 4.3: Propiedades y parámetros característicos 4.4: Efectos de segundo orden Tema 5: Diodos de unión 5.1: El diodo como elemento del circuito 5.2: Modelos incrementales 5.3: Descripción SPICE 5.4: Diodos especiales Tema 6 : Aplicaciones de los diodos 6.1: Análisis de circuitos con diodos: Puertas lógicas 6.2: Rectificadores 6.3: Conformadores de señales Tema 7: Transistores MOS de Acumulación (EMOS) 7.1: El condensador MOS 7.2: Principios de funcionamiento EMOS 7.3: Ecuación característica 7.4: Zona de saturación Tema 8: Otros tipos de transistores de efecto de campo 8.1: Tecnología CMOS 8.2: Transistores DMOS 8.3: J.F.E.T. y M.E.S.F.E.T. Tema 9: Transistores FET. Aplicaciones 9.1: Interruptores e Inversor Lógico 9.2: Etapa amplificadora 9.3: Modelo incremental Tema 10: Transistor Bipolar de Unión. 10.1 Principios de funcionamiento. 10.2 Ecuación Característica. 10.3 Regiones de funcionamiento 10.4 Modelo en D.C y Aplicaciones básicas. Tema 11: BJT en zona activa. 11.1 Efectos de Segundo Orden y Modelo SPICE. 11.2 Modelo incremental: BJT como amplificador. 11.3 Transistores PNP Tema 12: Polarización 12.1 Zona Amplificadora: Características. 12.2: Redes típicas de polarización. 12.3: Análisis y Diseño de circuitos de polarización.
Objectives:
Familiarizar al alumno con los fenómenos asociados a los mecanismos de conducción eléctrica en semiconductores, base previa para abordar el estudio de los diversos dispositivos electrónicos. Este análisis permitirá establecer una descripción microscópica, caracterizar su comportamiento y elaborar modelos de cada componente activo. Los equivalentes obtenidos se utilizarán para desarrollar técnicas de análisis de sistemas electrónicos y estudiar diversas aplicaciones básicas con componentes discretos. Corresponde a una asignatura troncal dedicada fundamentalmente al estudio de los dispositivos semiconductores. Se pretende estudiar las propiedades básicas del transporte electrónico en semiconductores y su aplicación a los tres dispositivos más emblemáticos: el diodo de unión, el transistor bipolar de unión(BJT) y el transistor MOS. Descriptores: Semiconductores y Dispositivos. Electrónica digital. Aplicaciones.
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